SIB431EDK-T1-GE3 datasheet
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>> SIB431EDK-T1-GE3 MOSFET 20V 9.0A 13W 80mohm @ 4.5V datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SIB431EDK-T1-GE3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 20V 9.0A 13W 80mohm @ 4.5V
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 20V 9.0A 13W 80mohm @ 4.5V
SIB431EDK-T1-GE3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
- 20 V
闸/源击穿电压
+/- 12 V
漏极连续电流
4.4 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.08 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK SC75-6L
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SIB431EDK-T1-GE3
SIB433EDK-T1-GE3
SIB437EDKT-T1-GE3
SIB441EDK-T1-GE3
SIB452DK-T1-GE3
SIB455EDK-T1-GE3
供应商
公司名
电话
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
深圳市升发继电器贸易有限公司
0754-84453743
苏先生
深圳市硕赢互动信息技术有限公司
CICI
深圳市毅创辉电子科技有限公司
077-8326952815602945519
王金英
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129911934(手机优先微信同号)
史仙雁
深圳市湘达电子有限公司
0755-83229772-83202753
朱平
SIB431EDK-T1-GE3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
0.676
0.676
10
0.484
4.84
100
0.456
45.6
250
0.426
106.5
3,000
0.22
660
6,000
0
0
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